寺本 章伸 | 東北大学未来科学技術共同研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学未来科学技術共同研究センターの論文著者

関連著者

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• Ohmi Tadahiro

  The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター

• 大見 忠弘

  東北大学

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Tohoku University

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Teramoto A

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• 黒田 理人

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 黒田 理人

  東北大学工学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 二井 啓一

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学工学研究科技術社会システム

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻

• 阿部 健一

  日本大学工学部情報工学科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気系

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気工学科

• TERAMOTO Akinobu

  New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University

• 赤堀 浩史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• OHMI Tadahiro

  New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University

• 阿部 健一

  東北大 大学院工学研究科

• 樋口 正顕

  東北大学工学研究科

• 品川 誠治

  武蔵工業大学工学部

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 渡部 俊一

  東北大学大学院工学研究科

• 熊谷 勇喜

  東北大学大学院工学研究科

• 赤堀 浩史

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 田中 宏明

  東北大学大学院工学研究科

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 後藤 哲也

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 渡辺 一史

  東北大学大学院工学研究科

• 田中 康太郎

  東北大学 工学研究科

• Sugawa S

  Graduate School Of Engineering Tohoku University

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 荒谷 崇

  信越化学工業株式会社

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 廣江 昭彦

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 藤澤 孝文

  東北大学大学院工学研究科

• 宮本 直人

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• SUGAWA Shigetoshi

  Graduate School of Engineering, Tohoku University

• 田中 宏明

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 中尾 幸久

  東北大学大学院工学研究科

• 室 隆桂之

  JASRI

• 谷 クン

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 根本 剛直

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター

• 池永 英司

  Crest・jst

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 千葉 景子

  東北大学大学院工学研究科

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 白井 泰雪

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科

• 寺本 章伸

  東北大学 未来科学技術研究館

• KURODA Rihito

  Graduate School of Engineering, Tohoku University

• 田中 康太郎

  東北大学大学院工学研究科

• 三富士 道彦

  ローム株式会社

• 山葉 隆久

  ローム株式会社

• 伊藤 隆司

  (株)富士通研究所

• Kuroda Rihito

  Graduate School Of Engineering Tohoku University

• 伊藤 隆司

  富士通研究所

• 伊藤 隆司

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 小林 啓介

  物材機構

• 遠藤 明

  東北大学大学院工学研究科

• 宮本 明

  東北大学大学院 工学研究科

• 廣沢 一郎

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 山口 拓也

  島根医科大学 第三内科

• 広沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 磯田 直征

  東北大学大学院工学研究科

• 佐々木 由美子

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  上智大学理工学部

• 遠藤 梨紗

  東北大学大学院工学研究科

• 内田 晶子

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  東北大学大学院工学研究科

• 千田 朝子

  東北大学大学院工学研究科

• 松浦 純

  東北大学大学院工学研究科

• 篠田 克己

  東北大学大学院工学研究科

• 伊賀 英樹

  東北大学大学院工学研究科

• 横須賀 俊之

  東北大学大学院工学研究科

• 今村 詮

  広島国際学院大学工学部

• 今村 詮

  広島国際学院大学

• 荒谷 崇

  東北大学大学院工学研究科

• 程 イ涛

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成人

  東北大学大学院工学研究科

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 野沢 俊久

  東京エレクトロン技術研究所(株)

• NAKANO Yukihisa

  Graduate School of Engineering, Tohoku University

• TANAKA Hiroaki

  New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University

• 高橋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• IKENAGA Eiji

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8

• Tanaka Hiroaki

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• Ikenaga Eiji

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute

• 永田 晃基

  明治大学理工学部

• 山口 拓也

  明治大学理工学部

• 小金澤 智之

  財団法人高輝度光科学センター

• 渡辺 高行

  宇部マテリアルズ（株）

• 宮本 明

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 菅原 卓也

  東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 坪井 秀行

  東北大学大学院工学研究科応用化学専攻

• 池永 英司

  JASRI SPring-8

• 阿部 健一

  東北大学工学部

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 室隆 佳之

  JASRI

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社

• 竹内 政志

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 本田 稔

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 石塚 修一

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 廣田 良浩

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 田中 義嗣

  東京エレクトロン株式会社

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 広沢 一郎

  NEC

• 広沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 山下 哲

  東北大未来科学技術共同研究センター

• 広沢 一郎

  Jasri

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター(spring-8)

• 廣沢 一郎

  (財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i

• 廣沢 一郎

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 石川 拓

  東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科

• 伊藤 隆司

  東北大学大学院工学研究科

• 牛尾 二郎

  株式会社日立製作所

• 荒谷 崇

  東北大学工学研究科技術社会システム専攻

• 服部 武雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Kobayashi Keisuke

  JASRI SPring8

• 樋口 正嗣

  東北大学大学院工学研究科

• 程? 涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 古山 通久

  東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻

• 鈴木 克昌

  大陽日酸株式会社

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 河瀬 和雅

  三菱電機先端総研

• 須川 成利

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム

• 石原 良夫

  大陽日酸株式会社

• 迫田 薫

  大陽日酸株式会社

• Philipossian Ara

  University of Arizona

• Sampurno Yasa

  University of Arizona

• Cheng Jiang

  Araca, Inc.

• Zhuang Yun

  University of Arizona

• 譽田 正宏

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 松岡 孝明

  東京エレクトロン技術研究所(株)

• 辻川 真平

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 小谷 光司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 池永 和幸

  東北大学 未来科学技術研究館

• 後藤 哲也

  東北大学 未来科学技術研究館

• 平山 昌樹

  東北大学 未来科学技術研究館

• 辻川 真平

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 山下 哲

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 田中 義嗣

  東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター

• 黒木 伸一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 船岩 清

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 安曇 啓太

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 熊谷 勇喜

  東北大学工学部電子工学科

• 菅原 卓也

  東京エレクトロン株式会社

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター利用研究促進部門

• 赤松 泰彦

  (株)ルネサステクノロジプロセス開発部

• 広沢 一郎

  Necデバイス評価技術研究所

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 濱田 龍文

  東北大学工学研究科

• 赤堀 浩史

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 小谷 光司

  東北大学工学研究科

• Zhuang Yun

  University Of Arizona:araca Inc.

• Cheng Jiang

  Araca Inc.

• Sampurno Yasa

  University Of Arizona:araca Inc.

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部

• 服部 真季

  明治大学理工学部

• 武井 宗久

  明治大学理工学部

• 赤松 弘彬

  明治大学理工学部

• 富田 基裕

  明治大学理工学部

• 水上 雄輝

  明治大学理工学部

• 橋口 裕樹

  明治大学理工学部

• 坪井 秀行

  東北大学未来科学技術共同研究センター

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著作論文

• ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 2段シャワープレート型マイクロ波プラズマエッチャーを用いた多層膜の連続エッチング
• RTN測定の高精度・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件 (情報センシング)
• 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
• NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
• 招待講演 MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 (シリコン材料・デバイス)
• MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
• プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
• 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 (シリコン材料・デバイス)
• ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
• High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
• 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
• 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• Impact of Improved High-Performance Si(110)-Oriented Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Using Accumulation-Mode Fully Depleted Silicon-on-Insulator Devices (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
• ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
• Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
• シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 次世代半導体プロセスにおけるウルトラクリーンテクノロジー : 全くゆらぎのない半導体製造プロセス(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
• Data Analysis Technique of Atomic Force Microscopy for Atomically Flat Silicon Surfaces
• Experimental investigation of effect of channel doping concentration on random telegraph signal noise (Special issue: Solid state devices and materials)
• A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
• A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
• Anomalous random telegraph signal extractions from a very large number of n-metal oxide semiconductor field-effect transistors using test element groups with 0.47Hz-3.0MHZ sampling frequency (Special issue: Solid state devices and materials)
• Impact of channel direction dependent low field hole mobility on (100) orientation silicon surface (Special issue: Solid state devices and materials)
• デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
• 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
• SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
• 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
• 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス(プロセス科学と新プロセス技術)
• SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)

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