大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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MOSFETの微細化,低ノイズデバイス作製のために,RTSノイズを抑制することが必要である.本報告では短時間で多数個のRTS特性が評価できる大規模アレイテスト回路を用いてRTS特性のゲートバイアス依存性を測定した.ゲートバイアスの減少に伴い,振幅は増大し,捕獲・放出時定数比は大きくなった.時定数比のゲートバイアス依存性から,絶縁膜中のトラップの分布について議論し,時定数比の抽出がトラップのエネルギー準位抽出に有用であることを示した.
- 2009-10-22
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻
-
藤澤 孝文
東北大学大学院工学研究科
-
渡部 俊一
東北大学大学院工学研究科
-
宮本 直人
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
阿部 健一
東北大学大学院
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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