n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリサイド/シリコンコンタクトを実現した。シリサイド形成のための金属材料としては電子、ホールに対するバリアハイトの低い仕事関数を有するEr、Pdをn^+、p^+-Siに対して選定した。シリサイド形成は大気にさらさず、メタル成膜前洗浄からアニール工程までN_2雰囲気で行った。さらに、低仕事関数金属であるErの酸化防止のため、キャップ金属にWを用いた。これらのシリサイドをMOSFETに適用し、直列抵抗低減により電流駆動能力向上を実現した。さらに、実現したシリサイドは、100nm以下の微細CMOSにおいても直列抵抗低減に有効であることを見出した。
- 2009-10-22
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
田中 宏明
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
田中 宏明
東北大学未来科学共同センター
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