直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Siの表面原子密度が異なるSi(100), Si(110), Si(111)の基板上にNH*を用いて直接窒化することにより形成したシリコン窒化膜のSi_3N_4/Si界面に存在する中間窒化状態のSi原子密度を調べることにより、各面方位上でシリコン窒化膜/Si界面組成遷移層量の違いを明らかにた。シリコン窒化膜のSiの中間窒化状態は角度分解X線光電子分光法を用い、SPring8の軟X線ビームラインBU27SUにおいて1050eVのフォトンで励起したSi 2p光電子スペクトルを用い、エネルギー分解能100meVで測定した。それぞれの面方位のSi基板上に形成したSi_3N_4膜の中間窒化状態に存在するSi原子の面密度は、Si基板の表面原子密度が増加するほど減少し、もっとも多いSi(100)基板上で5.0×10^<14>/cm^2であり、1ML(モノレイヤー)以下であることがわかった。このことから、表面原子密度の高い面方位のSi基板上に形成したシリコン窒化膜ほど、サブナイトライドは少なく、急峻な組成変化が生じていることがわかった。これは、窒化中にシリコン窒化膜にかかる圧縮応力が、面密度が高い方がかかりにくいためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
-
樋口 正顕
東北大学工学研究科
-
品川 誠治
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
品川 盛治
武蔵工業大学
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
池永 英司
Jasri/spring-8
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
関連論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
- 表面平滑低損失樹脂を用いた高速信号配線
- 非共振型超音波アクチュエータ駆動精密ステージの位置決め制御における摩擦補償法
- スティックスリップ補償と連続軌跡追従制御に基づく超音波アクチュエータ駆動精密ステージの一制御法
- n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 2段シャワープレート型マイクロ波プラズマエッチャーを用いた多層膜の連続エッチング
- RTN測定の高精度・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件 (情報センシング)
- 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ポリシー・マネジメントの国際比較
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 招待講演 MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 (シリコン材料・デバイス)
- MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
- 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 (シリコン材料・デバイス)
- ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
- High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
- 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
- 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- Impact of Improved High-Performance Si(110)-Oriented Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Using Accumulation-Mode Fully Depleted Silicon-on-Insulator Devices (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
- ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
- マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 次世代半導体プロセスにおけるウルトラクリーンテクノロジー : 全くゆらぎのない半導体製造プロセス(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
- Data Analysis Technique of Atomic Force Microscopy for Atomically Flat Silicon Surfaces
- Experimental investigation of effect of channel doping concentration on random telegraph signal noise (Special issue: Solid state devices and materials)
- A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
- A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
- Anomalous random telegraph signal extractions from a very large number of n-metal oxide semiconductor field-effect transistors using test element groups with 0.47Hz-3.0MHZ sampling frequency (Special issue: Solid state devices and materials)
- Impact of channel direction dependent low field hole mobility on (100) orientation silicon surface (Special issue: Solid state devices and materials)
- デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
- 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
- SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
- 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス(プロセス科学と新プロセス技術)
- SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)