ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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マイクロ波励起高密度プラズマで形成した100nm世代以下向けの直接シリコン窒化ゲート絶縁談の電気的特性を示す。プラズマ中の電子温度を低く抑え、プラズマダメージを極小にすることにより、TDDB特性がドライ酸化膜と比較して30000倍向上した。また400Kの温皮下において、C-V特性においてヒステリシスは観測されない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-13
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
小村 政則
東北大学工学研究科
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小村 政則
東北大学大学院工学研究科
-
程 イ涛
東北大学大学院工学研究科
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成人
東北大学大学院工学研究科
-
樋口 正嗣
東北大学大学院工学研究科
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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