ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ULSIの基本構成要素であるトランジスタの性能を劣化させる直列抵抗を低減するため、ソース・ドレイン領域におけるシリサイド/高濃度領域間のコンタクト抵抗低減を行った。p^+、n^+領域それぞれにPd、Erを用いシリサイドを形成し、0.3eV程度の低バリアハイトのコンタクトを実現した。Si基板面方位により、シリサイドの成長段階が異なる事を明らかにした。このシリサイドを用い、プロセスを理論的に最適化する事によって、10^<-9>Ωcm^2以下の低抵抗率コンタクト形成を実現した。
- 2010-10-14
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
田中 宏明
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
田中 宏明
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
田中 宏明
東北大学未来科学共同センター
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