マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si_<1-x>Ge_x(x〜0.8)をSiO_2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を検討した結果、基板温度がSi_<1-x>Ge_xの融点の約半分の温度である300℃で結晶化が始まる事を見出した。これは、スパッタ時に原子の表面マイグレーションが起こる温度と対応している。基板バイアスの効果に関して検討を行ったところ、基板温度350℃では基板バイアスにより結晶性の低下が観測されたが、300℃では結晶性を改善出来る事が確認された。
- 2009-05-07
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学
-
後藤 哲也
東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門
-
廣江 昭彦
東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
広江 昭彦
東工大理
-
Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
廣江 昭彦
東北大未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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