ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスは,熱酸化プロセスと比較して,極薄ゲート絶縁膜のリーク電流低減が可能,1/fノイズ低減が可能といった利点があることが分かっていたが,初期不良率の高さが課題であり解決が望まれていた.本報告では,原子オーダー平坦化Si表面とラジカル酸化プロセスとの組合せによる初期不良率の大幅な改善結果を示すと共に,改善したメカニズムをラジカル酸化による界面平坦化効果によって説明する.
- 2011-10-13
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
-
李 翔
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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