Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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Si(110)表面上に表面平坦化とラジカル酸化を用いて形成したCMOSの特性について報告する。Si(110)表面に形成したp-MOSFETは, Si(110)表面と比較して高い電流駆動能力を有し、1/f雑音を低減できる。さらに、Si(110)表面に形成したCMOSは同一の大きさのn-MOSFETとp-MOSFETの電流駆動能力がバランスするBalanced-CMOSが実現する。これら、低雑音デバイス・Balanced-CMOS技術は、アナログ・ディジタル混載デバイスに非常に有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-09
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
濱田 龍文
東北大学工学研究科
-
赤堀 浩史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小谷 光司
東北大学工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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