MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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MOSFETのばらつきとランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)ノイズを抑制するプロセス開発のためには、多数のMOSFETの電気的特性を測定することと、正確にRTSの現象を測定することが必要である。トラップのエネルギーと、トラップとSi/SiO_2界面からの距離を得るためには、RTSの時定数を統計的に正確に抽出することが必要である。本報告では、大規模評価アレイTEGを用いることにより、非常に多数のI_D-V_<GS>特性を短時間で測定する手法を示した。また、RTSの重要なパラメータである時定数を十分長い時間測定することにより正確に抽出する方法を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-02
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻
-
阿部 健一
日本大学工学部情報工学科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大
-
藤澤 孝文
東北大学大学院工学研究科
-
渡部 俊一
東北大学大学院工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
阿部 健一
東北大 大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学工学部電気系
-
阿部 健一
東北大学工学部電気工学科
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
阿部 健一
東北大学大学院
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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