SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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SiO_2一分子層以上で安定化された組成遷移層について角度分解Si 2p光電子スペクトルを測定し、SiO_2/Si界面近傍の組成遷移層の化学結合状態の違いを明らかにした。900℃の酸化により形成されたSiO_2/Si界面は二つの組成遷移層が存在し、第一組成遷移層は主にSi^<1+>、Si^<2+>、Si^0から構成され、第二組成遷移層は主にSi^<3+>とSi^<4+>から構成される。これらの組成遷移層は、酸化温度や酸化後の水素雰囲気中熱処理により影響を受ける。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-18
著者
-
室 隆桂之
JASRI
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
室隆 桂之
SPring-8 JASRI
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
-
室 桂隆之
JASRI SPring-8
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
-
室 隆桂之
SPring-8-JASRI
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究セ
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究セ
-
室 隆桂之
高輝度光科学光科学研究センター
-
木下 豊彦
高輝度光科学光科学研究センター
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