大見 忠弘 | 東北大学未来科学共同センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学未来科学共同センターの論文著者

関連著者

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 小谷 光司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 大見 忠弘

  東北大学

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 宮本 直人

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• 黒田 理人

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 白井 泰雪

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 二井 啓一

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学工学研究科技術社会システム

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 阿部 健一

  日本大学工学部情報工学科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 斉藤 祐司

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻

• 赤堀 浩史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• 大嶋 一郎

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 譽田 正宏

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 樋口 正顕

  東北大学工学研究科

• 品川 誠治

  武蔵工業大学工学部

• 田中 宏明

  東北大学大学院工学研究科

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 渡部 俊一

  東北大学大学院工学研究科

• 熊谷 勇喜

  東北大学大学院工学研究科

• 大川 猛

  (独)産業技術総合研究所情報技術研究部門

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 渡辺 一史

  東北大学大学院工学研究科

• 廣江 昭彦

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 根本 剛直

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 山下 哲

  東北大未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 荒谷 崇

  信越化学工業株式会社

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 程 イ涛

  東北大学大学院工学研究科

• 後藤 哲也

  東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門

• 須川 成利

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科

• 藤澤 孝文

  東北大学大学院工学研究科

• 室 隆桂之

  JASRI

• 谷 クン

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 中尾 慎一

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 宮本 明

  東北大学大学院 工学研究科

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 池永 英司

  Crest・jst

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 千葉 景子

  東北大学大学院工学研究科

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 舘 知恭

  東北大学大学院工学研究科

• 石原 良夫

  大陽日酸株式会社

• 渡辺 高行

  宇部マテリアルズ（株）

• 伊藤 隆司

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 赤羽 奈々

  東北大学 大学院 工学研究科

• 小林 啓介

  物材機構

• 大見 忠弘

  東北大

• 遠藤 明

  東北大学大学院工学研究科

• 廣沢 一郎

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 小野 泰弘

  東北大学大学院工学研究科

• 山口 拓也

  島根医科大学 第三内科

• 広沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 磯田 直征

  東北大学大学院工学研究科

• 佐々木 由美子

  東北大学大学院工学研究科

• 伊藤 隆司

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  上智大学理工学部

• 遠藤 梨紗

  東北大学大学院工学研究科

• 内田 晶子

  東北大学大学院工学研究科

• 菅原 健太郎

  東北大学大学院工学研究科

• 千田 朝子

  東北大学大学院工学研究科

• 松浦 純

  東北大学大学院工学研究科

• 篠田 克己

  東北大学大学院工学研究科

• 伊賀 英樹

  東北大学大学院工学研究科

• 横須賀 俊之

  東北大学大学院工学研究科

• 今村 詮

  広島国際学院大学工学部

• 今村 詮

  広島国際学院大学

• 荒谷 崇

  東北大学大学院工学研究科

• 須川 成人

  東北大学大学院工学研究科

• 鈴木 克昌

  大陽日酸株式会社

• 迫田 薫

  大陽日酸株式会社

• 黒澤 富蔵

  産業技術総合研究所

• 飯嶋 和明

  三機工業(株)エネルギーソリューションセシター

• 佐野 泰久

  阪大院工

• 宮本 明

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 三浦 隆治

  東北大

• 菅原 卓也

  東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 森本 明大

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 杉村 正彦

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 河田 敦

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 川崎 雅史

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 脇坂 康尋

  日本ゼオン株式会社総合開発センター

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 坪井 秀行

  東北大学大学院工学研究科応用化学専攻

• 高橋 研

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 池永 英司

  JASRI SPring-8

• 永坂 茂之

  新日本空調

• 三浦 邦夫

  新日本空調(株)

• 石井 裕

  シャープ株式会社ディスプレイ技術開発本部

• 阿部 健一

  東北大学工学部

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 室隆 佳之

  JASRI

• 佐野 泰久

  大阪大 大学院工学研究科

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社

• 竹内 政志

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 本田 稔

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 石塚 修一

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 廣田 良浩

  東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部

• 田中 義嗣

  東京エレクトロン株式会社

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 広沢 一郎

  NEC

• 山村 和也

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 佐野 泰久

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 広沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 高橋 研

  東北大学工学研究科電子工学専攻

• 高増 潔

  東京大学大学院工学系研究科

• 四ツ柳 隆夫

  宮城工業高等専門学校

• 林 輝幸

  東京エレクトロン(株)

• 広沢 一郎

  Jasri

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター(spring-8)

• 廣沢 一郎

  (財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i

• 廣沢 一郎

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 田嶋 義宣

  オルガノ株式会社総合研究所

• 石川 拓

  東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 平澤 〓

  ナレッジフロント

• 平澤 〓

  政策研究大学院大学

• 倉元 直樹

  東北大学アドミッションセンター

• 井口 泰孝

  東北大学工学部

• 稲葉 仁

  高砂熱学工業(株)

• 石井 裕

  シャープ(株)ディスプレイ技術開発本部

• 権太 聡

  (独)産業技術総合研究所計測標準研究部門長さ計測科幾何標準研究室

• 三隅 伊知子

  (独)産業技術総合研究所計測標準研究部門長さ計測科幾何標準研究室

• 権太 聡

  産業技術総合研究所 計測標準研究部門 長さ計測科 幾何標準研究室

• 三隅 伊知子

  産業技術総合研究所 計測標準研究部門 長さ計測科 幾何標準研究室

• 山田 祐一郎

  シャープ(株)ディスプレイ技術開発本部avcディスプレイ研究所第2研究部

• 谷口 洋志

  中央大学経済学部

• 丸山 瑛一

  理化学研究所フロンティア研究システム

• 大塚 善樹

  広島経済大学

• 和田 昭允

  理化学研究所ゲノム科学総合研究センター

• 廣松 毅

  東京大学大学院総合文化研究科

• 大中 逸雄

  大阪大学工学部

• 丸山 瑛一

  理化学研究所

• 牛尾 二郎

  株式会社日立製作所

• 荒谷 崇

  東北大学工学研究科技術社会システム専攻

• 服部 武雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Kobayashi Keisuke

  JASRI SPring8

• 樋口 正嗣

  東北大学大学院工学研究科

• 程? 涛

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 東 茂樹

  住友金属工業(株)総合技術研究所

• 東 茂樹

  住友金属工業株式会社総合技術研究所化学研究部

• 荒川 公平

  日本ゼオン(株)

• 宮城 孝一

  日本ゼオン(株)高岡工場

• 古山 通久

  東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻

• 森田 諭

  大阪大学大学院工学研究科

• 井口 泰孝

  東北大学大学院工学研究科

• 玉井 幸夫

  シャープ株式会社技術本部

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 神戸 正純

  新日本空調(株)

• 植村 聡

  東北大学工学部電子工学専攻

• 鈴木 康司

  三機工業(株)技術開発本部

• 菅原 広

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 河瀬 和雅

  三菱電機先端総研

• 若山 恵英

  大成建設(株)

• 斉藤 美佐子

  東京エレクトロン(株)

• 鈴木 要

  東京エレクトロン(株)技術開発センター

• 村川 恵美

  東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム

• Philipossian Ara

  University of Arizona

• Sampurno Yasa

  University of Arizona

• Cheng Jiang

  Araca, Inc.

• Zhuang Yun

  University of Arizona

• 野沢 俊久

  東京エレクトロン技術研究所(株)

• 松岡 孝明

  東京エレクトロン技術研究所(株)

• 高増 潔

  東京大学大学院

• 辻川 真平

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 廣松 毅

  東京大学教養学部・先端科学技術研究センター教授

• 島田 彌

  三菱電機(株)技術研究所

• 島田 彌

  三菱電機:(現)大阪大学

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著作論文

• ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 表面平滑低損失樹脂を用いた高速信号配線
• n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
• 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
• NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
• シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ポリシー・マネジメントの国際比較
• 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
• ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
• RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
• 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
• 極薄ゲート酸化膜の有機物汚染が与える影響
• 真空装置内での有機物汚染挙動
• フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
• MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
• ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
• プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
• 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
• 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• 半導体・平板ディスプレイとそれらの製造設備用樹脂材料の分解抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 電気透析法を用いた使用済み現像液の再生・再利用技術
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
• リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
• 大型液晶ディスプ***ロジェクトが切り開く未来(総合報告)
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
• 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
• SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 測長AFMを用いたマイクロパターン薄膜の厚さ精密測定
• ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
• FPD用ガラス基板のエッチャントに関する研究
• 超純水中に残存する痕跡不純物のシリコンウェハへの付着挙動
• ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 分離度フィルタとVQヒストグラム法によるカラー画像から目の検出(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
• 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• イオン注入により形成されるドーパントに絡んだ欠陥とそのドーパント種依存性
• LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• F2-1 革命期を迎える半導体技術(総論)(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
• 高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発
• 高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発
• 電子デバイス製造用クリーンルームにおける室内系統水噴霧加湿の研究 : 第1報-省エネルギー効果の検証
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
• ガス供給系における金属表面の吸着水とその除去
• MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術(上流設計技術(1),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
• 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
• 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
• ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
• 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
• マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
• マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成
• シリカ表面への希ガス照射過程に関する分子動力学的検討
• 高密度プラズマを用いたシリコン直接窒化膜の低温形成
• 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
• VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
• 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
• VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
• 隣接画素差分量子化による顔認識(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
• 41646 減圧操作による膜蒸留法を用いた吸収液再生技術の検討(室内空気質,環境工学II)
• 41506 二酸化塩素を用いた斜行ハニカム式空気殺菌浄化システムの開発 : 斜行ハニカムの特性(汚染物質の制御と換気システム全般,環境工学II)
• シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術
• シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 高品質画像実時間伝送を実現する誤差判定適応解像度ベクトル量子化技術
• フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 適応解像度ベクトル量子化技術におけるコードブックの理論的作成手法
• 動的再構成LSI向け省回路構成情報量細粒度プログラマブル論理素子に関する研究 : フレキシブルプロセッサ用プログラマブル論理素子(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
• 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発(FPGAとその応用及び一般)
• シンポジウム : 次世代の工学教育と社会
• 5-8 線ベクトル量子化によるHMMの顔認識の適用
• 低エネルギイオン照射を用いたボロンドープシリコン単結晶薄膜の形成
• メガソニックを用いた室温レジスト剥離技術
• 超高純度ガス供給用100%Cr_2O_3被覆ステンレス配管「スミクリーンF」の開発
• 有機物汚染がシリコン素子に与える影響
• BF_2^+イオン注入後の低温アニールによる極浅・低リークp^+n接合形成
• マイクロ波励起高密度プラズマによる低温(300℃)ポリシリコンの成膜
• 高密度プラズマによる高品質シリコン直接酸化技術
• デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
• 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• ホモジニアス・タイル構造3次元FPGAの性能評価(3D-I,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
• 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• TSVを用いた3次元FPGAの性能評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出(プロセス科学と新プロセス技術)
• 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
• SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• 東北大学未来情報産業研究館における東日本大震災の影響
• 東北大学未来情報産業研究館における東日本大震災の影響
• 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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