極薄ゲート酸化膜の有機物汚染が与える影響
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概要
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クリーンルームエアには建築材料に由来する多種・多量の有機物が存在する。クリーンルームエア中の有機物によるシリコンウェハ表面への汚染は電気特性の劣化を招き、ウェハ面内での均一性を損なうことが明らかになった。更に、ゲート酸化プロセスとゲート電極成膜プロセス間においてクリーンルームエアにウェハを曝さず窒素シール搬送を行うことで、従来問題であったゲート酸化膜の薄膜化に伴う電荷注入特性の劣化を改善した。将来のULSI製造においては、ウェハへの汚染を完全に防いだ"Closed manufacturing system"が有効であることを示す。
- 1998-08-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大川 猛
(独)産業技術総合研究所情報技術研究部門
-
中村 修
東北大学大学院工学研究科
-
大川 猛
東北大学大学院工学研究科
-
大川 猛
National Institute For Advanced Industrial Science And Technology (aist):information Technology Rese
-
Ohkawa Takeshi
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
大川 猛
National Institute For Advanced Industrial Science And Technology (aist) Information Technology Rese
-
大川 猛
(株)トプスシステムズ
-
中村 修
東北大学
-
大川 猛
宇都宮大学大学院工学研究科情報システム科学専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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