高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
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概要
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マイクロ波励起低電子温度高密度プラズマ装置を用いた高密度Kr/O_2プラズマ中で発生する酸素ラジカルによってn-Si(III)基板上に成膜したシリコン酸化膜は、従来の酸素分子を用いた高温熱酸化では成膜することができなかった良質の酸化膜であることをXPS測定によって確かめた。また、シリコンウェハ表面にCVDで成膜したノンドープのシリコン酸化膜(NSG膜)に400℃にてKr/O_2プラズマ照射を行い、その膜のエッチレートを0.5%HFを用いて測定した。エッチレート測定の結果から、Kr/O_2プラズマ照射したNSG膜は従来の高温アニール処理したNSG膜よりも膜質が改善されていることを確認した。CVD酸化膜の膜質改善(アニール効果)は、Kr/O_2プラズマ処理を行うことにより500℃以下の低温で行うことができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
櫻井 稔久
東北大
-
櫻井 稔久
東北大学未来科学技術研究センター
-
藪根 辰弘
東北大学大学院工学研究科
-
高野 順
東北大学工学部電子工学科
-
斉藤 祐司
東北大学工学部電子工学科
-
櫻井 稔久
東北大学工学部電子工学科
-
藪根 辰弘
ステラケミファ株式会社研究部
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科:(現)セイコーエプソン(株)生産技術開発本部
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