ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
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概要
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タンタルゲートMOSダイオードの電気的特性から、タンタルをスパッタリング法により成膜した時きに、ゲート酸化膜中に誘起されるダメージを評価した。Arプラズマに代わりXeプラズマを採用することで、ゲート酸化膜の絶縁破壊電界が8.1MV/cmから12.3MV/cmへと向上した。また、イオン照射エネルギーを42eVから22eVへと低減することで、ゲート酸化膜の定電流ストレス試験における絶縁破壊に至る注入電荷量が、0.8C/cm^2から4.2C/cm^2へと向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
河合 邦浩
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
篠原 壽邦
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
余 謨群
東北大学工学部電子工学科
-
篠原 壽邦
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
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