牛木 健雄 | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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河合 邦浩
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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篠原 壽邦
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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余 謨群
東北大学工学部電子工学科
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篠原 壽邦
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
- Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響
- 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術