Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響
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概要
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TaゲートMOSプロセスにおけるゲート電極のTaとゲート酸化膜のSiO_2の界面反応がデバイス特性に与える影響を実験的に調査した。界面反応に伴うゲート酸化膜の薄膜化によりMOSFETの電流駆動能力が向上すると同時に、界面反応層がタンタルとSiO_2の密着性と熱的安定性を向上させていることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
河合 邦浩
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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