超純水中に残存する痕跡不純物のシリコンウェハへの付着挙動

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概要

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シリコン基板を長時間超純水流中に浸漬する積分吸着テストの結果、超純水中に少なくともFe、Ni、Cuが痕跡レベル残存していることが分かった。また、このCuは、陰イオン状のコロイド粒子か、もしくは、他の残存物質と共にマイナス帯電の複合体を形成していることが考えられた。一方、高抵抗率シリコン基板を長時間超純水に浸漬すると、低抵抗率基板に比べて表面ラフネスが大きくなることが分かった。これはシリコン基板が帯電することによって、シリコンと超純水の接触面におけるエネルギーバンド構造に何らかの影響が及んだものと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-10-09

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