Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)

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概要

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• シリコン酸化膜にFowler-Noldheim (F-N)電子注入ストレスを印加した際の、stress-induced leakage current (SILC)と、random telegraph signalノイズの相関を、およそ8万個のn-MOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-10-02

著者

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 大見 忠弘

  東北大学

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻

• 阿部 健一

  日本大学工学部情報工学科

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 藤澤 孝文

  東北大学大学院工学研究科

• 渡部 俊一

  東北大学大学院工学研究科

• 熊谷 勇喜

  東北大学大学院工学研究科

• 宮本 直人

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター

• 阿部 健一

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 阿部 健一

  東北大 大学院工学研究科

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気系

• 阿部 健一

  東北大学工学部電気工学科

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Tohoku University

• Ohmi Tadahiro

  The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University

• Ohmi T

  Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn

• 阿部 健一

  東北大学大学院

• 宮本 直人

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学共同センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学共同センター

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学共同センター

• 須川 成利

  東北大学大学院 工学研究科

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