ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を明らかにすることを目的として、高分解能軟X線角度分解光電子分光法を用いてSi 2p、O 1sからの光電子スペクトルを光電子の運動エネルギーを揃えて測定を行った。Si(100)、Si(111)、Si(110)、Si(551)基板上に形成した酸化膜のSi 2p3/2スペクトルにおいて、界面の組成遷移層を構成するサブオキサイドのスペクトルに明瞭な違いが観測された。また、界面は基板面方位に依らずおよそ1層程度の急峻な組成遷移であることを明らかにした。
- 2009-10-22
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
-
加藤 有香子
高輝度光科学研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究セ
-
加藤 有香子
高輝度光科学研究セ
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究セ
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