シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
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概要
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原子オーダーで平坦化されたシリコン/シリコン酸化膜界面の形成はn-MOSFETのl/fノイズの低減に有効である。(100)面上で<010>方向に4°offしてカットされたシリコン上のシリコン酸化膜をHF/HCl溶液を用いた低pH溶液でウエットエッチングを行う。それによりシリコン表面を原子オーダーで平坦化することが可能である。さらにKr/O_2を混合した高密度マイクロ波励起プラズマ中に生成されたラジカルで酸化することによってより平坦な界面が実現される。これらの技術により界面ラフネスが改善され、シリコン/シリコン酸化膜界面のトラップ密度は低減される。それにより従来のプロセスよりもl/fノイズが劇的に低減された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-21
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
渡辺 一史
東北大学大学院工学研究科
-
田中 康太郎
東北大学 工学研究科
-
田中 康太郎
東北大学大学院工学研究科
-
石野 英明
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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