SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
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概要
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4H-SiCに形成されたMOS構造におけるゲート絶縁膜中の残留カーボンが電気的特性に与える影響を評価した。ゲート絶縁膜はマイクロ波励起高密度プラズマによるPECVD、NOラジカル酸窒化により形成した。4H-SiCを直接酸窒化するよりも、PECVDで形成した酸化膜をNOラジカルで酸窒化することにより界面固定電荷密度、界面準位密度が劇的に低減した。絶縁膜中の残留カーボンを低減することにより、電気的特性が改善されることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
田中 宏明
東北大学大学院工学研究科
-
田中 康太郎
東北大学 工学研究科
-
田中 康太郎
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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