異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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絶縁膜に電気的なストレスを印加することによって発生する異常Stress Induced Leakage Current (SILC)を統計的に評価した。異常SILCは通常SILCに対して極めて電流密度が大きく、フラッシュメモリに対して重大な問題となる。これまで異常SILCはストレス時間や温度によって異常SILCが離散的に発生・消滅するという報告がされている。この論文では異常SILCの離散的変化を時間領域で評価することによって異常SILCは通常SILCとは大きく異なった回復特性を有することを示し、また温度やストレスに対する依存性の評価も行うことによって異常SILCの回復のしやすさを明らかにした。
- 2011-10-13
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
熊谷 勇喜
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
稲塚 卓也
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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