シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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• Si基板を安定に保つためには表面の水素終端が最も有効であり、様々な薬液を用いた表面処理が行われているが、半導体表面上での化学反応は未だ不明な点が多い。そこで本研究では、シリコン表面の終端水素がラジカルなどによって説離する過程を量子化学的に検討した。その結果、表面近傍におけるラジカル種の存在によって容易に終端水素が説離することが明らかになった。

• 2004-10-08

著者

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 坪井 秀行

  東北大学大学院工学研究科応用化学専攻

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター

• 宮本 明

  東北大学大学院 工学研究科

• 千葉 景子

  東北大学大学院工学研究科

• 二井 啓一

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 古山 通久

  東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻

• 久保 百司

  東北大学大学院工学研究科

• 坪井 秀行

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 千葉 景子

  東北大学大学院工学研究科応用化学専攻

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学共同センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学共同センター

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