大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
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概要
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トンネル酸化膜において非常に局所的で微小なゲートリーク電流がフラッシュメモリの電荷保持特性に影響を与えている。従来のゲートリーク電流の評価では、比較的面積の大きなMOSキャパシタを使い測定を行っている。そのため、局所的で微小なリーク電流を測定することは不可能である。本研究では、フラッシュメモリのビットエラーを引き起こす局所的で微小なゲートリーク電流を短時間で測定可能なTEGを開発し、数秒で6000セルのゲートリーク電流(〜10^<-16> A)に対し、統計的な評価を行った。さらに、本TEGを用いたストレス誘起リーク電流(SILC)の大規模統計評価を行い、Kr/O_2/NOガスを用いたプラズマ酸窒化がSILCや膜中の電荷トラップを低減したトンネル絶縁膜形成に有効であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
熊谷 勇喜
東北大学大学院工学研究科
-
熊谷 勇喜
東北大学工学部電子工学科
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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