界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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平坦化を行ったシリコン(110)面上にMOSFETを形成しヽ電気的特性について評価を行った.原子状酸素酸化と平坦化技術の組み合わせにより(110)面上にMOSFETを形成することでヽ従来報告されているよりも正孔・電子移助炭が改善できること及び1/fノイズが低減できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-14
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
-
赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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