赤堀 浩史 | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻の論文著者

関連著者

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 二井 啓一

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 赤堀 浩史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部

• 赤堀 浩史

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学共同センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学共同センター

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 諏訪 智之

  東北大学大学院工学研究科

• 塚本 和巳

  東北大学未来科学技術共同研究センター

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著作論文

• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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