二井 啓一 | 東北大学未来科学技術共同研究センター
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概要
関連著者
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
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千葉 景子
東北大学大学院工学研究科
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久保 百司
東北大学大学院工学研究科
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千葉 景子
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
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遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
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宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
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磯田 直征
東北大学大学院工学研究科
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佐々木 由美子
東北大学大学院工学研究科
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菅原 健太郎
上智大学理工学部
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遠藤 梨紗
東北大学大学院工学研究科
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内田 晶子
東北大学大学院工学研究科
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菅原 健太郎
東北大学大学院工学研究科
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千田 朝子
東北大学大学院工学研究科
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松浦 純
東北大学大学院工学研究科
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篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
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伊賀 英樹
東北大学大学院工学研究科
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横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
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今村 詮
広島国際学院大学工学部
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今村 詮
広島国際学院大学
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宮本 明
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
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古山 通久
東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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寺本 章伸
東北大学 未来科学技術研究館
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平山 昌樹
東北大学 未来科学技術研究館
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櫻井 稔久
東北大
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櫻井 稔久
東北大学未来科学技術研究センター
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藪根 辰弘
東北大学大学院工学研究科
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二井 啓一
ステラケミファ株式会社 開発部
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伊藤 周徳
ステラケミファ株式会社 開発部
-
菊山 裕久
ステラケミファ株式会社 開発部
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濱田 龍文
東北大学工学研究科
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赤堀 浩史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小谷 光司
東北大学工学研究科
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坪井 秀行
東北大学未来科学技術共同研究センター
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赤堀 浩史
東北大学 大学院工学研究科電子工学専攻
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二井 啓一
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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塚本 和巳
東北大学未来科学技術共同研究センター
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宮本 明
東北大学未来科学共同研究センター:東北大学大学院工学研究科化学工学専攻:東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
著作論文
- シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- FPD用ガラス基板のエッチャントに関する研究
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン(110)面の平坦化
- シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)