諏訪 智之 | 東北大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
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赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
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濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
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赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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樋口 正顕
株式会社東芝
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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小村 政則
東北大学工学研究科
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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程? 涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
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程 ?涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
著作論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)