プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
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概要
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マイクロ波励起高密度プラズマによって、400℃の低温で、熱酸化膜をもしのぐ膜質の高品質ゲート絶縁膜(SiO_2、Si_3N_4)の形成が実現されている。この膜中にプラズマ中に存在する希ガスが残留していることを明らかにするとともに、またマイクロ波励起高密度プラズマによって形成された酸化膜及び酸窒化膜、窒化膜の膜中に残留するKrの熱処理による挙動とそれが膜成長、電気的特性に与える影響を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-21
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
-
諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
程? 涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
程 ?涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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