微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
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概要
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MOSFETの電気的特性の統計的・局所的ばらつきを高速で測定するためのTEG (Test Element Group)を開発した。8inchウェハ面内で1ゲートサイズあたり22万個以上のn-MOSFETが8種類含まれるTEGを0.35μmテクノロジーで作成し,しきい値電圧の統計的ばらつきを求めた。その結果,しきい値電圧の標準偏差はゲート長Lおよびゲート幅Wの逆数の平方根にほぼ比例することを確認した。さらに,本TEGを用いることで,LSIの局所的欠陥の位置を容易に特定できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻
-
阿部 健一
日本大学工学部情報工学科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大
-
渡部 俊一
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
阿部 健一
東北大 大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学工学部電気系
-
阿部 健一
東北大学工学部電気工学科
-
阿部 健一
東北大学大学院
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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