須川 成利 | 東北大学大学院 工学研究科
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概要
関連著者
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
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黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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阿部 健一
日本大学工学部情報工学科
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阿部 健一
東北大学大学院工学研究科
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阿部 健一
東北大
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阿部 健一
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
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阿部 健一
東北大学工学部電気系
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阿部 健一
東北大学工学部電気工学科
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阿部 健一
東北大学大学院
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阿部 健一
東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻
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阿部 健一
東北大 大学院工学研究科
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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渡部 俊一
東北大学大学院工学研究科
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黒田 理人
東北大学工学研究科
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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中澤 泰希
東北大学大学院工学研究科
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幸田 安真
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学
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藤澤 孝文
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
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栃木 靖久
東北大学大学院工学研究科
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半澤 克彦
東北大学大学院工学研究科
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米澤 彰浩
東北大学大学院工学研究科
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小野 泰弘
元東北大工
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小野 泰弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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宮本 直人
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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島田 浩行
セイコーエプソン株式会社
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宮本 直人
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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Ono Yasuhiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University
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中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
川田 峻
東北大学大学院工学研究科
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小野 泰弘
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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程 イ涛
東北大学大学院工学研究科
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川田 峻
東北大学工学研究科
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平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
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島田 浩行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中尾 慎一
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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近藤 泰志
株式会社島津製作所
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冨永 秀樹
株式会社島津製作所
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広瀬 竜太
株式会社島津製作所
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田窪 健二
株式会社島津製作所
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宮内 健
東北大学大学院工学研究科
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李 宗霖
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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小原 俊樹
東北大学大学院工学研究科
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川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
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大竹 浩
NHK放送技術研究所
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大川 猛
(独)産業技術総合研究所情報技術研究部門
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前田 敦
三菱電機株式会社 北伊丹製作所
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酒井 伸
東北大学大学院工学研究科
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上野 雅史
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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山脇 正雄
三菱電機株式会社 LSI研究所
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田中 宏明
東北大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
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武藤 秀樹
リンク・リサーチ株式会社
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高柳 功
アプティナジャパン
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武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
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小野田 篤
浜松ホトニクス株式会社
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東谷 恵市
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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熊谷 勇喜
東北大学大学院工学研究科
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小室 孝
東京大学
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山岸 世明
東北大学大学院工学研究科
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小原 崇弘
東北大学大学院工学研究科
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須川 成利
東北大学 大学院工学研究科
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Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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井上 俊輔
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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近藤 泰志
島津製作所
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田中 宏明
東北大学未来科学技術共同研究センター
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田窪 健二
(株)島津製作所基盤技術研究所
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
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大川 猛
東北大学大学院工学研究科
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大川 猛
National Institute For Advanced Industrial Science And Technology (aist):information Technology Rese
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Ohkawa Takeshi
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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角 博文
ソニー
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角 博文
ソニー株式会社
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角 博文
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニーイメージングデバイスカンパニーイメージセンサ技術部門開発部
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岩間 大介
東北大学大学院工学研究科
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ヤマック アミール
東北大学大学院工学研究科
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アシュファクザマン カーン
東北大学大学院工学研究科
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関東 弘明
東北大学大学院工学研究科
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程 〓涛
東北大学大学院工学研究科
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井上 俊輔
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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櫻井 克仁
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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上野 勇武
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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小泉 徹
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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樋山 拓己
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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浅羽 哲朗
キャノン株式会社 半導体デバイス開発センター
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加藤 久幸
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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飯塚 康治
三菱電機株式会社 システムLSI事業統括部
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大島 宗之
富士フイルム株式会社r&d統括本部 電子映像商品開発センター
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山脇 正雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業統括部
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Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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前田 敦
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
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武藤 信彦
松下電子工業
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大川 猛
National Institute For Advanced Industrial Science And Technology (aist) Information Technology Rese
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浜本 隆之
東京理科大学
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角 博文
ソニー株式会社scnイメージングデバイスカンパニー
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太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
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加藤 祐理
東北大学大学院工学研究科
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大川 猛
(株)トプスシステムズ
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井上 俊輔
キヤノン株式会社 デバイス開発本部 半導体デバイス製品開発センター
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松岡 弘章
東北大学大学院工学研究科
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鈴木 裕彌
東北大学大学院工学研究科
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冨永 秀樹
島津製作所
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大川 猛
宇都宮大学大学院工学研究科情報システム科学専攻
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武田 徹
東北大学大学院工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科:東北大学未来科学技術共同研究センター
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若嶋 駿一
東北大学大学院工学研究科
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合田 康之
東北大学大学院工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科:東北大学未来科学共同センター
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川田 峻
東北大学大学院工学研究科:日本学術振興会
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田中 宏明
東北大学未来科学共同センター
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那須野 悟史
東北大学大学院工学研究科
-
武藤 信彦
パナソニック株式会社セミコンダクター社
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竹田 徹
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東京大学未来科学技術共同研究センター
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寺本 章伸
東京大学未来科学技術共同研究センター
-
武藤 秀樹
リンク・リサーチ(株)
著作論文
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
- プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- CMOSイメージセンサの画素トランジスタのノイズ測定(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
- 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
- PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
- マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 325万画素APS-CサイズCMOSイメージセンサ
- 原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)
- 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
- バースト1Tpixel/sと連続780Mpixel/sの撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
- 広ダイナミックレンジイメージセンサの技術動向
- 紫外光高感度・高信頼性を有する原子オーダー平坦Si表面を用いたフォトダイオードのドーパントプロファイル(高機能イメージセンシングとその応用)
- 画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
- 19-8 高速CMOSイメージセンサによる毎秒1000万コマ以上の撮像(第19部門[テーマ講演]科学技術のフロンティアを切り拓くイメージセンサ技術)
- 超高速ビデオ撮像素子技術(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
- 浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
- オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(高機能イメージセンシングとその応用)
- White-RGBイメージセンサを用いた仮想カラーフィルタ情報の追加による被写体のスペクトル推定精度の改善(インタラクティブシステム・画像入力デバイス・方式,バイオメトリクス,及び一般)
- PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス(プロセス科学と新プロセス技術)
- 200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)
- 1-1. 情報センシング(1. 画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報〜2008年4月から2010年3月の進展〜)
- ランダムテレグラフノイズ時定数の動作条件依存性の統計的解析(固体撮像技術および一般)
- 20Mfpsの撮像速度を有する超高速CMOSイメージセンサの画素構造(固体撮像技術および一般)
- 2. CMOSイメージセンサにおける高速化技術の動向(イメージセンサ技術の最新動向)
- MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析(プロセス科学と新プロセス技術)
- 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計(プロセス科学と新プロセス技術)