原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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本稿では原子レベルで平坦化されたsi(100),(110),(551)表面の電子・ホールモビリティ特性についてまとめ,また,速度性能と最少加工寸法におけるロジックゲートのノイズマージンとを性能指標としたマルチゲートMOSFETのフィン構造の評価手法へ反映した結果を報告する.フィン高さとフィン上面幅との比が1.2から7.5の領域では,フィン側壁が(551)面,フィン上面が(100)面のフィン構造において性能指標が高くなることが示された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-10
著者
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
大見 忠弘
東京大学未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東京大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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