CMOSイメージセンサの画素トランジスタのノイズ測定(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
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概要
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CMOSイメージセンサの画素ソースフォロアトランジスタについて,ゲートポリシリコンのコンタクトが素子分離領域上にあるトランジスタとアクティブ領域上にあるトランジスタから成るアレイテスト回路を作成し,しきい値電圧ばらつきとランダムノイズを比較測定した.また,読出し回路系のノイズを0.5e^-(入力換算)まで低減したLOFIC CMOSイメージセンサを用いて,画素トランジスタで発生するランダムノイズの動作条件依存性を測定した.本稿ではこれらの結果について論じる.
- 2009-07-24
著者
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科 電気・通信工学専攻
-
阿部 健一
日本大学工学部情報工学科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大
-
藤澤 孝文
東北大学大学院工学研究科
-
山岸 世明
東北大学大学院工学研究科
-
小原 崇弘
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
阿部 健一
東北大 大学院工学研究科
-
阿部 健一
東北大学工学部電気系
-
阿部 健一
東北大学工学部電気工学科
-
阿部 健一
東北大学大学院
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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