バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術
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概要
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新たにSiO_2エッチング装置としてバランスト電子ドリフト(BED)マグネトロンプラズマ装置を開発した。ママグネトロンプラズマにおいてプラズマの不均一の原因であるExBドリフトを新たに上部リング状電極を設置し、100MHzを印加することで均一なプラズマを得ることが可能となっている。さらにBEDマグネトロンプラズマを利点として下地シリコン基板へのダメージを抑えることが可能であるという点である。Xeを用いたエッチングガスでエッチングを行うことでカーボン比の高いフロロカーボン膜によりシリコン表面を保護することが可能であることが分かった。Xeガスを用いたBEDマグネトロンエッチング装置を用いることでエッチング後の数十工程のダメージ層除去を省略可能となる
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
海原 竜
東北大学大学院電子工学専攻
-
大見 忠弘
未来科学技術共同研究センター
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