カーボン汚染フリー表面クリーニング及びウェハ搬送技術
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概要
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次世代半導体の高性能化実現のためには、ウェハ表面の極限までのクリーン化が必要である。ウェットプロセスにおいて、ダイナミックースピンクリーニング法によりカーボン汚染フリーなシリコンウェハ表面が実現できた。しかし、クリーン洗浄後、ウェハをクリーンルーム大気に暴露することにより、短時間にカーボン汚染が進行する。そこで、本研究室で開発された窒素シール搬送装置によって、ウェハ搬送を行い、大気からのカーボン汚染を抑制することが確認できた。また、FT-IRによって、LB膜での有機不純物の定量を行った。
- 1994-08-17
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学
-
小島 泉里
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
久保 和樹
東北大学工学部電子工学科
-
籔本 周邦
Ntt 境界領域研
-
能勢 昌之
東北大学
-
籔本 周邦
日本電信電話株式会社
-
能勢 昌之
東北大学工学部電子工学科
-
小島 泉里
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:野村マイクロ・サイエンス株式会社開発部
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