マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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マイクロ波(2.45GHz)励起プラズマCVDを用いて、微結晶シリコンのデポを行った。デポ条件を変えて成膜を行い、(220)優先配向の膜と(111)優先配向の膜との比較を行ったところ、(220)優先配向の膜は断面形状が緻密で、ESR(Electron Spin Resonance)によるdangling bondの密度も低い事が分かった。この(220)優先配向の膜を用いてTFTの試作を行ったところ、W/L=20/4μmのbottom gate TFTにおいて、水泰プラズマ処理後、移動度1.4cm^2/Vsec、on/off比が5桁以上という特性を得ることに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
廣江 昭彦
東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
広江 昭彦
東工大理
-
廣江 昭彦
東北大未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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