原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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高速・高集積性に優れるFET型強誘電体メモリが次世代の不揮発性半導体メモリとして注目されている。強誘電体STNは低比誘電率、低残留分極値、および水素雰囲気中で劣化しにくい等の特徴をもち、FET型強誘電体メモリ用強誘電体材料として有望である。しかしSTNは、成分元素として5価まで完全に酸化することが困難なla、Nbを含むことから、成膜した薄膜が酸素欠損を起こしやすいという欠点がある。我々は、マイクロ波励起高密度プラズマ中で大量に発生させた酸素ラジカルを用いてSTN薄膜を完全に酸化し、その特性を改善することに成功したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-07
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
後藤 哲也
東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門
-
高橋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
磯貝 達典
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
桜井 弘之
宇部興産株式会社
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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