ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
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概要
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The intensities of emission from N2+ and NH radicals in Ar/N2, Xe/N2 Ar/NH3 or Xe/NH3 plasma excited by microwave and the chemical bonding states of nitrogen atoms in silicon oxynitride film nitrided by using these plasmas were investigated. Depth profiles of composition and chemical structures in the oxynitride films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy combined with step etching in HF solution. The emission intensities from N2+ radical generated in Xe/N2, Ar/NH3 or Xe/NH3 plasma are less than a quarter of that from N2+ radical generated in Ar/N2 plasma. The emission from NH radical detected in Ar/NH3 or Xe/NH3 plasma is not detected in Xe/N2 or Ar/N2 plasma. The order of the nitrogen concentration near the film/substrate interface is Ar/NH3>Xe/NH3>Ar/N2>Xe/N2 plasma. Therefore, it is important for the reduction of the nitrogen concentration near the film/substrate interface to use Xe/N2 plasma in which both of the generation efficiencies of N2+ and NH radicals are low.
- 日本真空協会の論文
- 2007-11-20
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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