河瀬 和雅 | 三菱電機(株)先端総研
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概要
関連著者
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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樋口 正顕
株式会社東芝
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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本谷 宗
三菱電機(株)先端総研
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谷村 純二
三菱電機(株)先端総研
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津村 直樹
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
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長山 顕祐
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
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石賀 展昭
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
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井上 和式
三菱電機(株)先端総研
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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谷村 純二
三菱電機(株)先端技術総合研究所 環境・分析評価技術部
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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上原 康
三菱電機(株)材料デバイス研究所
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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谷村 純二
三菱電機先端技術総合研究所
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土本 淳一
ルネサステクノロジ(株)プロセス開発部
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上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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丸山 祥輝
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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上原 康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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上原 康
三菱電機(株)
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)