由上 二郎 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 由上 二郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 米田 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 水谷 斉治

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 志賀 克哉

  (株)ルネサステクノロジ

• 志賀 克哉

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 大野 吉和

  (株)ルネサステクノロジ

• 土本 淳一

  (株)ルネサステクノロジ

• 土本 淳一

  ルネサス テクノロジ

• 土本 淳一

  (株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部

• 土本 淳一

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 吉村 秀文

  (株)ルネサステクノロジ

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 辻川 真平

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 辻川 真平

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ

• 嶋本 泰洋

  (株)日立製作所中央研究所

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 野村 幸司

  (株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング

• 山下 朋弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 藤田 文子

  (株)ルネサステクノロジ

• 西出 征男

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 大西 和博

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 坂下 真介

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 西田 征男

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 川崎 洋司

  (株)ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 児島 雅之

  (株)ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 東 雅彦

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 武島 豊

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 山成 真市

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 森 健壱

  (株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 森 健壹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 赤松 泰彦

  (株)ルネサステクノロジプロセス開発部

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 赤松 泰彦

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

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著作論文

• フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
• HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
• HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
• CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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