尾田 秀一 | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 西出 征男

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 西田 征男

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 山下 朋弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山下 朋弘

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 西田 征男

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 尾田 秀一

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 西田 征男

  株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 尾田 秀一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 川崎 洋司

  (株)ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 森本 博明

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 清水 昭博

  株式会社ルネサステクノロジ

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 山本 和也

  三菱電機株式会社

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 栄森 貴尚

  三菱電機ULSI開発研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 犬石 昌秀

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 黒井 隆

  (株)ルネサステクノロジ

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 遠藤 誠一

  (株)ルネサステクノロジ

• 丸山 祥輝

  (株)ルネサステクノロジ

• 林 岳

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 川崎 洋司

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 黒井 隆

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 栄森 貴尚

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 大路 譲

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 栄森 貴尚

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 由上 二郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 太田 和伸

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 杉原 浩平

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 内田 哲也

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 尾田 秀一

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 井上 靖朗

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 尾田 秀一

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 太田 一伸

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 片山 実紀

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 井上 靖朗

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 森本 博明

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 太田 和伸

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 永久 克巳

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 山本 和也

  三菱電機システムLSI事業統括センター

• 加藤 隆幸

  三菱電機高周波光素子事業統括部

• 尾田 秀一

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 坂下 真介

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 森 健壱

  (株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 森 健壹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 山下 朋弘

  ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 芝原 健太郎

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 加藤 隆幸

  三菱電機

• 前田 茂伸

  Ulsi開発センター

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
• 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
• デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
• フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• LSAとSpike-RTAの組み合わせによる極浅接合形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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