伊藤 清男 | (株)日立製作所中央研究所

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関連著者

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 正和

  日立製作所中央研究所

• 青木 正和

  日立製作所半導体事業部

• 関口 知紀

  (株)日立製作所システム開発研究所

• 伊藤 清男

  日立製作所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所 中央研究所

• 秋山 悟

  日立製作所・中央研究所

• 梶谷 一彦

  エルピーダメモリ(株)開発センター

• 梶谷 一彦

  日立製作所デバイス開発センタ

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 阪田 健

  日立製作所中央研究所

• 秋山 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 阪田 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 坂田 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  (株)日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 渡部 隆夫

  日立中央研究所

• 堀口 真志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 中込 儀延

  (株)日立製作所半導体事業部

• 中込 儀延

  株式会社 日立製作所 半導体事業部

• 中込 儀延

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  日立製作所中央研究所

• 柳川 善光

  (株)日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 梶谷 一彦

  エルピーダ

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 正行

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 青木 正和

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 均

  日立超LSIシステムズ

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 秋葉 武定

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 梶谷 一彦

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 橘川 五郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 柳沢 一正

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 秋葉 武定

  (株)日立デバイスエンジニアリング

• 川尻 良樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 宮沢 一幸

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 川尻 良樹

  (株)genusion

• 梶谷 一彦

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 橘川 五郎

  日立製作所中央研究所

• 衛藤 潤

  (株)日立製作所

• 堀口 真志

  日立製作所中央研究所

• 秋山 悟

  株式会社日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  株式会社日立製作所中央研究所

• 小田部 晃

  株式会社日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 衛藤 潤

  (株)日立製作所中央研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  株式会社日立製作所中央研究所

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• 長田 健一

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• 長田 健一

  株式会社日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

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• 森田 祐介

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• 土屋 龍太

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• 土屋 龍太

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• 松本 哲郎

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 久保 征治

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• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• ECL 1 Mb Bi-CMOS DRAM の回路設計
• 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 2次元選択給電線方式によるギガビットDRAMのサブスレッショルド電流低減
• DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
• DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 低電圧・低電力時代の回路技術
• ミラー補償による高集積DRAM用電圧リミタ回路の安定化
• 高速大容量メモリー素子の将来
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
• 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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