岩松 俊明 | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

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概要

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• (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 前田 茂伸

  Ulsi開発センター

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 岩松 俊明

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 一法師 隆志

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 和也

  三菱電機株式会社

• 山本 秀和

  三菱電機株式会社LSI研究所

• 山本 秀和

  三菱電機パワーデバイス製作所

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 中井 哲弥

  三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 廣田 尊則

  三菱電機(株)システムLSI事業統括部

• 浜野 尚徳

  三菱電機(株)システムLSI事業統括部

• 前田 茂伸

  ULSI開発研究所

• 岩松 俊明

  ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  ULSI開発研究所

• 一法師 隆志

  ULSI開発研究所

• 前川 繁登

  ULSI開発研究所

• 益子 洋治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 秋山 悟

  日立製作所・中央研究所

• 石井 智之

  日立

• 渡部 隆夫

  日立中央研究所

• 石井 智之

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 須藤 充

  三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部

• 柳沢 一正

  (株)ルネサステクノロジ

• 益子 洋治

  大分大学工学部

• 成岡 英樹

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 服部 信美

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 秋山 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 亀代 典史

  (株)日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐野 俊明

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ

• 伊部 英史

  (株)日立製作所中央研究所

• 高橋 保彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 渡部 隆夫

  日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部

• 石井 智之

  日立製作所中央研究所

• 石井 智之

  神奈川工科大学情報学部

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中井 哲弥

  三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 金井 直樹

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 川島 光

  三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部

• 前川 繁登

  三菱電機株式会社LSI研究所

• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 平野 有-

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機株式会社 LSI 研究所

• 和田 佳樹

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 小柴 浩史

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 平野 有一

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 犬石 昌秀

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 太田 和伸

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 永久 克巳

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 山本 和也

  三菱電機システムLSI事業統括センター

• 加藤 隆幸

  三菱電機高周波光素子事業統括部

• 尾田 秀一

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 牧 幸生

  ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 小紫 浩史

  システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 辻内 幹夫

  (株)ルネサステクノロジ

• 池田 龍彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 小松 大士

  (株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング

• 牧 幸生

  (株)ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 加藤 隆幸

  三菱電機

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 牧 幸生

  ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)

• 三好 寛和

  三菱電機(株)

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
• フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
• 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
• 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
• デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
• SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
• 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
• ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
• 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
• RFアナログ/超高速ディジタル混載用高性能SOIトランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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