岩松 俊明 | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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概要
関連著者
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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山口 泰男
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山口 泰男
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山口 泰男
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(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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(株)日立製作所中央研究所
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三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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岩松 俊明
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平野 有一
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(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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Hiramoto Toshiro
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Hiramoto Toshiro
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杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
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岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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超低電圧デバイス技術研究組合
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超低電圧デバイス技術研究組合
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合
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篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合
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篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
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新居 浩二
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)
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宮本 昭一
三菱電機(株)
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益子 耕一郎
三菱電機(株)
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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山本 和也
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山本 秀和
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岩松 俊明
ULSI開発研究所
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一法師 隆志
ULSI開発研究所
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前川 繁登
ULSI開発研究所
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日立
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渡部 隆夫
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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成岡 英樹
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服部 信美
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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亀代 典史
(株)日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所中央研究所
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佐野 俊明
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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伊部 英史
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 保彦
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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渡部 隆夫
日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所 中央研究所
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中井 哲弥
三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
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蒲原 史朗
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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青野 英樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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山口 泰男
超低電圧デバイス技術研究組合
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尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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渡部 隆夫
(株)日立製作所
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蒲原 史朗
超低電圧デバイス技術研究組合
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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平野 有-
三菱電機(株)
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金 逸中
三菱電機(株)
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新井 浩二
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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太田 和伸
ソニー株式会社
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
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小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
加藤 隆幸
三菱電機
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
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三好 寛和
三菱電機(株)
-
杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
-
山口 泰男
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
青野 英樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
著作論文
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- RFアナログ/超高速ディジタル混載用高性能SOIトランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)