杉井 信之 | (株)日立製作所中央研究所

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概要

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• (株)日立製作所中央研究所の論文著者

関連著者

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 杉井 信之

  日立製作所・中央研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 筒井 一生

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 名取 研二

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• パルハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山口 伸也

  日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  (株)日立製作所中央研究所

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• 山口 伸也

  日立製作所・中央研究所

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 朴 成基

  日立製作所中央研究所

• 角嶋 邦之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• パールハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• アヘメト パールハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 朴 成基

  日立製作所・中央研究所

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 波多野 睦子

  日立製作所 中央研究所

• 波多野 睦子

  日立製作所

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 石垣 隆士

  日立製作所中央研究所

• 吉元 広行

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所ulsi研究部

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア研究機構

• アヘメト パルハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 中川 清和

  日立製作所中央研究所

• 宮尾 正信

  日立製作所中央研究所

• 波多野 睦子

  (株)日立製作所 中央研究所

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 土屋 龍太

  日立製作所

• 石垣 隆士

  日立製作所

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 茂森 直澄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• AHMET Parhat

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 土屋 龍太

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 来山 大祐

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 小柳 友常

  東京工業大学フロンティア研究機構

• Parhat Ahmet

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 久本 大

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 兼堀 恵一

  (株)日立製作所

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 舘 喜一

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 宋 在烈

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 兼堀 恵一

  日立中研

• 宋 在烈

  東京工業大学フロンティア研究センター

• ザデ ダリューシュ

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 細井 隆司

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 川那子 高暢

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 舘 喜一

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ

• 波多野 睦子

  日立製作所・中央研究所

• 田村 雄太

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 吉原 亮

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 片岡 好則

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 兼堀 恵一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

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著作論文

• SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
• 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
• ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
• SC-9-3 Siヘテロ超構造技術とデバイス応用 : 現状と展望
• ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
• ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
• プラズマCVDによる酸化物超伝導膜の低温成長
• 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
• 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (シリコン材料・デバイス)
• 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (集積回路)
• 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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