ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa_2O_3膜を堆積することにより、La_2O_3膜への窒素導入を行った。La_2O_3膜は電極堆積後アニール(PMA:Post Metallization Annealing)によりEOTが大きく増加する問題がある。高温アニールによるEOT増加を窒素添加によりわずかに抑圧できた。Nls内殻準位の角度分解X線光電子分光(AR-XPS)は、界面層がSi-N結合を多く含むためにEOT増加が抑圧されたことを示唆している。また、同時窒化を行ったnMOSFETを作製した。EOT=2.2nmであり、ピーク移動度は96.2cm^2/Vsであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
-
角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
-
舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
関連論文
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
- SC-9-3 Siヘテロ超構造技術とデバイス応用 : 現状と展望
- 1.5nm酸化膜MOSFET
- 1.5nm酸化膜 MOSFET
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
- シリコンデバイスの微細化と性能限界
- 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- 位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 近接場光学顕微鏡用高効率プローブの開発
- プラズマCVDによる酸化物超伝導膜の低温成長
- 弗化物ヘテロ構造の量子効果デバイスへの応用
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード
- ふっ化物共鳴トンネル素子とそのCMOS集積化への展望(学生/教養のページ)
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (シリコン材料・デバイス)
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (集積回路)
- ゲートスタック技術 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- シリコンナノワイヤFET技術
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ゲートスタック技術
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価