微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-06-14
著者
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
-
田村 雄太
東京工業大学フロンティア研究機構
-
吉原 亮
東京工業大学フロンティア研究機構
-
片岡 好則
東京工業大学大学院総合理工学研究科
関連論文
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル--バリステイックおよび準バリステイック輸送 (シリコン材料・デバイス)
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル : バリスティックおよび準バリスティック輸送(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- 次世代ゲート絶縁膜の課題とコンビナトリアル手法による材料探索
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- high-k 膜のXPSによる評価
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
- Si-SiO_2系の形成・構造・物性
- LSIにかかわる技術の変遷と課題
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- 位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 近接場光学顕微鏡用高効率プローブの開発
- 弗化物ヘテロ構造の量子効果デバイスへの応用
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード
- ふっ化物共鳴トンネル素子とそのCMOS集積化への展望(学生/教養のページ)
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価
- シリコンの酸化機構解明の手がかりを求めて
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面
- シリコンナノワイヤFET技術
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタック技術
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価