弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
弗化物系ヘテロ構造(CaF_2/CdF_2/CaF_2)による共鳴トンネルダイオードとnチャネルMOSFETを同一Si基板上に集積するプロセスを検討し、RTD2個およびFET1個からなるSRAMセルのモデル回路を製作した。RTD部については、コンタクトホール中の高濃度イオン注入層に弗化物ヘテロ構造を成長するプロセスを検討し、条件を最適化した。製作した基板上で、RTDとFETいずれも正常動作を得て、RTD直列接続における双安定動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-23
著者
関連論文
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- 位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 近接場光学とその光メモリへの応用
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ
- 近接場光学顕微鏡用高効率プローブの開発
- 弗化物ヘテロ構造の量子効果デバイスへの応用
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- 弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- 弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
- Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード
- ふっ化物共鳴トンネル素子とそのCMOS集積化への展望(学生/教養のページ)
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価