コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_<0.53>Ga_<0.47>ASの界面解析
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-06-27
著者
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
細井 隆司
東京工業大学フロンティア研究機構
-
ダリューシュ ザデ
東京工業大学フロンティア研究機構
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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