希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
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概要
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- 2008-07-10
著者
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
-
宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
AHMET P.
東京工業大学フロンティア研究センター
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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